品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），56A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.5 毫欧 14A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1425 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），60W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： I-PAK

封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），56A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.5 毫欧 14A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1425 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），60W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： I-PAK

封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

温度： -55°C # 175°C（TJ）