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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDPF10N60ZUT_未分类
FDPF10N60ZUT
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

未分类

+1:

¥24.57543

+10:

¥21.559504

+50:

¥19.778359

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: UniFET™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 800 毫欧 4.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 40 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1980 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 42W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDPF10N60ZUT_未分类
FDPF10N60ZUT
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

未分类

+1184:

¥7.409131

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: UniFET™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 800 毫欧 4.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 40 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1980 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 42W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FDPF10N60ZUT
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

未分类

+50:

¥25.552378

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¥25.100124

+250:

¥24.647868

+1000:

¥24.195614

+1500:

¥23.969487

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: UniFET™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 800 毫欧 4.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 40 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1980 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 42W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDPF10N60ZUT_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥17.817889

+10:

¥16.032766

+100:

¥12.887801

+500:

¥10.588777

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: UniFET™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 800 毫欧 4.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 40 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1980 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 42W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDPF10N60ZUT_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥33.419444

+10:

¥30.054919

+100:

¥24.160225

+500:

¥19.849568

+1000:

¥16.44677

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: UniFET™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 800 毫欧 4.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 40 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1980 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 42W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDPF10N60ZUT_未分类
FDPF10N60ZUT
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

未分类

+1:

¥43.077535

+10:

¥35.792363

+100:

¥28.507192

+250:

¥21.380394

+1000:

¥18.054556

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Tube

封装/外壳: TO-220-3

系列: FDPF10N60ZUT

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 9 A

Rds On-漏源导通电阻: 650 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V

Qg-栅极电荷: 31 nC

Pd-功率耗散: 42 W

通道模式: Enhancement

商标名: UniFET FRFET

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 60 ns

正向跨导 - 最小值: 12.5 S

高度: 16.07 mm

长度: 10.36 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 40 ns

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 95 ns

典型接通延迟时间: 25 ns

宽度: 4.9 mm

单位重量: 2 g

温度: - 55 C~+ 150 C

艾睿
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FDPF10N60ZUT_未分类
FDPF10N60ZUT
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

未分类

+1000:

¥16.367807

+2000:

¥15.32779

+5000:

¥14.911261

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDPF10N60ZUT参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: UniFET™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 800 毫欧 4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 40 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1980 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 42W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220F-3
封装/外壳: TO-220-3 整包
温度: -55°C # 150°C(TJ)