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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FQPF4N90_晶体管-FET,MOSFET-单个
FQPF4N90
授权代理品牌
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¥37.043445

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¥14.336578

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¥13.833924

+1000:

¥13.582597

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 900 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.3 欧姆 1.25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1100 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 47W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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FQPF4N90_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 900 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.3 欧姆 1.25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1100 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 47W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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FQPF4N90_晶体管-FET,MOSFET-单个

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Fairchild Semiconductor

包装: Tube

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 900 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.3Ohm 1.25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1100 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 47W (Tc)

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 Full Pack

温度: -55°C # 150°C (TJ)

FQPF4N90_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 900 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.3 欧姆 1.25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1100 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 47W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FQPF4N90_未分类
FQPF4N90
授权代理品牌

MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220F

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Tube

標準包裝數量: 50

FQPF4N90参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: QFET®
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.3 欧姆 1.25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1100 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 47W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220F-3
封装/外壳: TO-220-3 整包
温度: -55°C # 150°C(TJ)