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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC8015L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥20.608416 +100：￥15.269328 +200：￥11.786976 +500：￥10.008864 +800：￥9.00288	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta），18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 945 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），24W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC8015L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP 下载数据手册未分类	+1：￥6.60633 +10：￥5.514028 +30：￥4.967876 +100：￥4.432228 +500：￥4.106638	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta），18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 945 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），24W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC8015L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.164907 +6000：￥3.006705 +15000：￥2.893676	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta），18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 945 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），24W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMC8015L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥5.468948 +6000：￥5.195576 +15000：￥5.000261	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta），18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 945 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），24W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC8015L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.836008 +10：￥11.529278 +100：￥8.985205 +500：￥7.422221 +1000：￥5.859696	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-MLP (3.3x3.3)
FDMC8015L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.836008 +10：￥11.529278 +100：￥8.985205 +500：￥7.422221 +1000：￥5.859696	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-MLP (3.3x3.3)
FDMC8015L ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-PowerWDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 7A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 26mOhm @ 7A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.3W (Ta), 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： 8-MLP (3.3x3.3) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 945 pF @ 20 V
FDMC8015L ON(安森美) 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-PowerWDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 7A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 26mOhm @ 7A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.3W (Ta), 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： 8-MLP (3.3x3.3) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 945 pF @ 20 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC8015L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP 下载数据手册未分类	+1：￥15.372867 +10：￥12.757895 +100：￥10.016135 +500：￥8.938449 +1000：￥7.274376	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC8015L 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥4.702212	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMC8015L参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7A（Ta），18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	26 毫欧 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	19 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	945 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.3W（Ta），24W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-MLP（3.3x3.3）
封装/外壳:	8-PowerWDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）