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自营 现货库存
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FDMC8360L_null
FDMC8360L
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V 80A POWER33

+1:

¥12.104869

+200:

¥4.689178

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¥4.519434

+1000:

¥4.445171

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27A(Ta),80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.1 毫欧 27A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 80 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5795 pF 20 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.3W(Ta),54W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: Power33

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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FDMC8360L_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥18.084574

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¥16.244448

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¥13.059396

+500:

¥10.729502

+1000:

¥8.890168

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27A(Ta),80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.1 毫欧 27A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 80 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5795 pF 20 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.3W(Ta),54W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: Power33

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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FDMC8360L_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥15.74368

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27A(Ta),80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.1 毫欧 27A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 80 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5795 pF 20 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.3W(Ta),54W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: Power33

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDMC8360L_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥29.160226

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¥21.078148

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¥17.318208

+1000:

¥15.743803

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: Power33

FDMC8360L_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: Power33

Mouser
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FDMC8360L_晶体管
FDMC8360L
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V 80A POWER33

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: Power-33-8

系列: FDMC8360L

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 80 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.1 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 80 nC

Pd-功率耗散: 54 W

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench Power Clip

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 11 ns

正向跨导 - 最小值: 138 S

高度: 0.8 mm

长度: 3.3 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 14 ns

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 60 ns

典型接通延迟时间: 28 ns

宽度: 3.3 mm

单位重量: 152.700 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

FDMC8360L参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27A(Ta),80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.1 毫欧 27A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 80 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5795 pF 20 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.3W(Ta),54W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: Power33
封装/外壳: 8-PowerWDFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)