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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMS8027S_未分类
FDMS8027S
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN

未分类

+1:

¥7.550744

+10:

¥6.654707

+30:

¥6.512653

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®, SyncFET™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A(Ta),22A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5 毫欧 18A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 31 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1815 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),36W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMS8027S_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥12.459188

+10:

¥11.163266

+100:

¥8.975032

+500:

¥7.37374

+1000:

¥6.109678

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®, SyncFET™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A(Ta),22A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5 毫欧 18A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 31 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1815 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),36W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMS8027S_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥10.547292

+6000:

¥10.156651

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®, SyncFET™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A(Ta),22A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5 毫欧 18A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 31 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1815 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),36W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDMS8027S_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥23.083298

+10:

¥20.703943

+100:

¥16.641283

+500:

¥13.672416

+1000:

¥11.328572

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®, SyncFET™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-PQFN (5x6)

FDMS8027S_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥23.083298

+10:

¥20.703943

+100:

¥16.641283

+500:

¥13.672416

+1000:

¥11.328572

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®, SyncFET™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-PQFN (5x6)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMS8027S_未分类
FDMS8027S
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN

未分类

+1:

¥26.394618

+10:

¥23.809578

+25:

¥22.449031

+100:

¥19.183718

+500:

¥15.782348

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 3000

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMS8027S_未分类
FDMS8027S
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH Si 30V 18A 8-Pin PQFN EP T/R

未分类

+3000:

¥9.829346

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDMS8027S参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®, SyncFET™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A(Ta),22A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5 毫欧 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 31 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1815 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),36W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)
封装/外壳: 8-PowerTDFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)