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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDP150N10A-F102_未分类
FDP150N10A-F102
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3

未分类

+1:

¥32.443489

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¥28.473389

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¥26.110234

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 15 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1440 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 91W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDP150N10A-F102_未分类
FDP150N10A-F102
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3

未分类

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¥23.925573

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¥15.272315

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¥12.595181

+1000:

¥11.57281

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 15 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1440 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 91W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

FDP150N10A-F102_晶体管-FET,MOSFET-单个
FDP150N10A-F102
授权代理品牌
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¥25.883465

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¥25.137277

+100:

¥20.982866

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¥17.462979

+1000:

¥14.37834

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 15 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1440 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 91W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

FDP150N10A-F102_晶体管-FET,MOSFET-单个
FDP150N10A-F102
授权代理品牌
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¥25.965926

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¥20.964214

+500:

¥17.239651

+1000:

¥12.982901

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 15 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1440 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 91W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

FDP150N10A-F102_晶体管-FET,MOSFET-单个
FDP150N10A-F102
授权代理品牌
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¥24.526215

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¥15.655721

+500:

¥12.911378

+1000:

¥11.863341

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 15 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1440 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 91W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDP150N10A-F102_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥34.104059

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 15 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1440 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 91W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

FDP150N10A-F102_晶体管-FET,MOSFET-单个
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授权代理品牌

N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100

晶体管-FET,MOSFET-单个

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¥34.104059

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 15 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1440 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 91W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDP150N10A-F102_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥30.74101

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¥27.632238

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¥22.209802

+500:

¥18.24791

+1000:

¥15.119609

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 15 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1440 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 91W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

FDP150N10A-F102_未分类
FDP150N10A-F102
授权代理品牌

N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Fairchild Semiconductor

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 15mOhm 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1440 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 91W (Tc)

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

供应商器件封装: TO-220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 175°C (TJ)

FDP150N10A-F102_未分类
FDP150N10A-F102
授权代理品牌

N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100

未分类

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¥11.55677

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-220-3

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -55°C # 175°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 91W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA

Supplier Device Package: TO-220-3

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 50 V

FDP150N10A-F102参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 15 毫欧 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1440 pF 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 91W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3
温度: -55°C # 175°C(TJ)