FDT86246L厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDT86246L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.790119 +10：￥7.86016 +30：￥6.550093	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 228 毫欧 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 335 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	FDT86246L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4 下载数据手册未分类	+1：￥5.780526 +10：￥4.611308 +30：￥4.032163	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 228 毫欧 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 335 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDT86246L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.316312	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 228 毫欧 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 335 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FDT86246L JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDT86246L JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.653089 +150：￥1.625538 +250：￥1.58421	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDT86246L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.108369	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 228 毫欧 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 335 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDT86246L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥5.352381 +8000：￥5.15763	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 228 毫欧 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 335 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-4 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDT86246L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.026195 +10：￥8.276562 +100：￥7.490212 +500：￥6.548428 +1000：￥6.106298	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-4
FDT86246L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.026195 +10：￥8.276562 +100：￥7.490212 +500：￥6.548428 +1000：￥6.106298	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-4

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDT86246L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4 下载数据手册未分类	+1：￥9.618078 +100：￥7.959789 +500：￥6.649742 +1000：￥6.251752 +2000：￥6.102505	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： MouseReel,Cut Tape,Reel 封装/外壳： SOT-223-4 系列： FDT86246L 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 150 V Id-连续漏极电流： 2 A Rds On-漏源导通电阻： 452 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压： 800 mV Qg-栅极电荷： 4.5 nC Pd-功率耗散： 2.2 W 通道模式： Enhancement 商标名： PowerTrench 商标： onsemi / Fairchild 配置： Single 下降时间： 2 ns 正向跨导 - 最小值： 7.3 S 高度： 1.8 mm 长度： 6.5 mm 产品类型： MOSFET 上升时间： 1.3 ns 晶体管类型： 1 N-Channel 典型关闭延迟时间： 11 ns 典型接通延迟时间： 4.5 ns 宽度： 3.5 mm 单位重量： 112 mg 温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDT86246L ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥5.499244 +10：￥5.415664 +25：￥5.395542 +100：￥5.384708 +250：￥5.373874	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDT86246L参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	228 毫欧 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6.3 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	335 pF 75 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-223-4
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）