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FDT86246L_未分类
FDT86246L
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MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4

未分类

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¥4.29569

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¥3.602498

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¥2.898803

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¥2.688745

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 228 毫欧 2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.3 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 335 pF 75 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-223-4

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FDT86246L_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥4.316312

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 228 毫欧 2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.3 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 335 pF 75 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-223-4

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 228 毫欧 2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.3 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 335 pF 75 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-223-4

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FDT86246L_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 228 毫欧 2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.3 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 335 pF 75 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-223-4

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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¥7.115687

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¥6.031663

+1000:

¥4.913556

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-4

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¥11.19601

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¥9.143408

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¥7.115687

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¥4.913556

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-4

Mouser
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FDT86246L
授权代理品牌

MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4

未分类

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¥13.602152

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¥11.213868

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¥9.047013

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¥7.623532

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¥6.026071

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: SOT-223-4

系列: FDT86246L

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 150 V

Id-连续漏极电流: 2 A

Rds On-漏源导通电阻: 452 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV

Qg-栅极电荷: 4.5 nC

Pd-功率耗散: 2.2 W

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 2 ns

正向跨导 - 最小值: 7.3 S

高度: 1.8 mm

长度: 6.5 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 1.3 ns

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 11 ns

典型接通延迟时间: 4.5 ns

宽度: 3.5 mm

单位重量: 112 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

艾睿
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FDT86246L
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Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

未分类

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¥10.475239

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FDT86246L
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场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 2A, SOT-223

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¥7.309707

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FDT86246L
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MOSFET, N-CH, 150V, 2A, SOT-223

未分类

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货期:7~10 天

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FDT86246L参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 228 毫欧 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.3 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 335 pF 75 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-223-4
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
温度: -55°C # 150°C(TJ)