搜索 FDMT800120DC 共 10 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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FDMT800120DC 授权代理品牌 | +15: ¥56.951845 +100: ¥47.152732 +500: ¥41.06444 +5000: ¥35.759884 | ||||
FDMT800120DC 授权代理品牌 | +1: ¥74.093205 +10: ¥66.929007 +100: ¥55.398971 +500: ¥48.247044 +1000: ¥42.015673 | ||||
FDMT800120DC 授权代理品牌 | +1: ¥82.51551 +100: ¥52.671938 +500: ¥43.43409 +1000: ¥39.926486 |
Digi-Key
Mouser
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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FDMT800120DC 授权代理品牌 | MOSFET, N-CH, 120V, 128A, PQFN | +1: ¥61.158856 +10: ¥47.552572 +100: ¥41.096532 +500: ¥40.055234 +3000: ¥39.002367 | 暂无参数 |
FDMT800120DC参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | onsemi |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | Dual Cool™, PowerTrench® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 120 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 20A(Ta),129A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 4.14 毫欧 20A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 107 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 7850 pF 60 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 3.2W(Ta),156W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-Dual Cool™88 |
封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |