锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 FDMC767810 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMC7678_未分类
FDMC7678
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 17.5A/19.5A 8MLP

未分类

+1:

¥2.556981

+10:

¥2.065254

+30:

¥1.857636

+100:

¥1.595381

+500:

¥1.486109

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 最后售卖

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17.5A(Ta),19.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5.3 毫欧 17.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 39 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2410 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.3W(Ta),31W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-MLP(3.3x3.3)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMC7678_未分类
FDMC7678
授权代理品牌

FDMC7678 JSMICRO/深圳杰盛微

未分类

+5000:

¥1.849437

+10000:

¥1.817291

+15000:

¥1.769018

+20000:

¥1.688597

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
FDMC7678_未分类
FDMC7678
授权代理品牌

FDMC7678 VBSEMI/台湾微碧半导体

未分类

+10:

¥3.216357

+5000:

¥3.028746

+15000:

¥2.948327

+20000:

¥2.814365

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
FDMC7678_未分类
FDMC7678
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 17.5A/19.5A 8MLP

未分类

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 最后售卖

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17.5A(Ta),19.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5.3 毫欧 17.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 39 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2410 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.3W(Ta),31W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-MLP(3.3x3.3)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMC7678_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 17.5A/19.5A 8MLP

晶体管-FET,MOSFET-单个

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 最后售卖

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17.5A(Ta),19.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5.3 毫欧 17.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 39 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2410 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.3W(Ta),31W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-MLP(3.3x3.3)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMC7678_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 17.5A/19.5A 8MLP

晶体管-FET,MOSFET-单个

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 最后售卖

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17.5A(Ta),19.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5.3 毫欧 17.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 39 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2410 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.3W(Ta),31W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-MLP(3.3x3.3)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDMC7678_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 17.5A/19.5A 8MLP

晶体管-FET,MOSFET-单个

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: 8-MLP (3.3x3.3)

FDMC7678_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 17.5A/19.5A 8MLP

晶体管-FET,MOSFET-单个

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: 8-MLP (3.3x3.3)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMC7678_未分类
FDMC7678
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 17.5A/19.5A 8MLP

未分类

+1:

¥14.167379

+10:

¥12.607375

+100:

¥9.837573

+500:

¥8.118386

+1000:

¥7.959202

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 3000

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMC7678_未分类
FDMC7678
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH Si 30V 17.5A 8-Pin WDFN EP T/R

未分类

+3000:

¥5.18564

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDMC7678参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 最后售卖
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17.5A(Ta),19.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5.3 毫欧 17.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 39 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2410 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.3W(Ta),31W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-MLP(3.3x3.3)
封装/外壳: 8-PowerWDFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)