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FQB8N25TM_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥7.290053

库存: 0

货期:7~10 天

系列: QFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D²PAK (TO-263AB)

FQB8N25TM_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 250 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 550 毫欧 4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 530 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.13W(Ta),87W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FQB8N25TM参数规格

属性 参数值
系列: QFET®
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装: D²PAK (TO-263AB)