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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCPF190N65S3R0L ON(安森美) 授权代理品牌	SUPERFET3 650V TO220F PKG 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.503525 +10：￥4.736812 +30：￥4.358708 +100：￥3.980603 +500：￥3.760042	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 8.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.7mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1350 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 144W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCPF190N65S3R0L ON(安森美) 授权代理品牌	SUPERFET3 650V TO220F PKG 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.501956 +10：￥14.822937 +100：￥11.913836 +500：￥9.78847	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 8.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.7mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1350 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 144W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCPF190N65S3R0L ON(安森美) 授权代理品牌	SUPERFET3 650V TO220F PKG 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥28.515325 +10：￥25.613986 +100：￥20.587069 +500：￥16.914444	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 8.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.7mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1350 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 144W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCPF190N65S3R0L ON(安森美) 授权代理品牌	SUPERFET3 650V TO220F PKG 下载数据手册未分类	+1：￥33.088539 +10：￥29.92217 +100：￥27.705713 +500：￥22.797845 +1000：￥17.731657	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 1000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCPF190N65S3R0L 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+1：￥13.68309 +10：￥13.216904 +100：￥12.247997 +500：￥11.317084	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FCPF190N65S3R0L参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	SuperFET® III
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	190 毫欧 8.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 1.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	33 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1350 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	144W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220F-3
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）