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自营 现货库存
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FCB11N60TM_未分类
FCB11N60TM
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

未分类

+1:

¥12.697488

+10:

¥12.402451

+30:

¥12.205761

+100:

¥12.00907

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: SuperFET™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 380 毫欧 5.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 52 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1490 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 125W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FCB11N60TM_未分类
FCB11N60TM
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

未分类

+893:

¥10.017862

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: SuperFET™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 380 毫欧 5.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 52 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1490 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 125W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FCB11N60TM_未分类
FCB11N60TM
授权代理品牌

FCB11N60TM VBSEMI/台湾微碧半导体

未分类

+10:

¥8.575263

+300:

¥8.21796

+1350:

¥7.860657

+2250:

¥7.717737

+4450:

¥7.146052

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FCB11N60TM_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+800:

¥13.712002

+1600:

¥11.564367

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: SuperFET™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 380 毫欧 5.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 52 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1490 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 125W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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FCB11N60TM_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+800:

¥23.694294

+1600:

¥19.983188

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: SuperFET™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 380 毫欧 5.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 52 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1490 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 125W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FCB11N60TM_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥37.800216

+10:

¥33.971576

+100:

¥27.833599

库存: 0

货期:7~10 天

系列: SuperFET™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D²PAK

FCB11N60TM_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥37.800216

+10:

¥33.971576

+100:

¥27.833599

库存: 0

货期:7~10 天

系列: SuperFET™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D²PAK

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FCB11N60TM_未分类
FCB11N60TM
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

未分类

+1:

¥42.56316

+10:

¥38.293069

+25:

¥36.364641

+100:

¥31.268082

+500:

¥26.033778

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 800

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FCB11N60TM_未分类
FCB11N60TM
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

未分类

+800:

¥16.779097

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FCB11N60TM参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: SuperFET™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 380 毫欧 5.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 52 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1490 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 125W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D²PAK(TO-263)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 150°C(TJ)