FQD20N06TM厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 FQD20N06TM 共 15 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQD20N06TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.11047 +10：￥6.070682 +30：￥5.503525 +100：￥4.862847	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 63 毫欧 8.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 590 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），38W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQD20N06TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.794979	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 63 毫欧 8.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 590 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），38W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQD20N06TM VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQD20N06TM VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.20817 +50：￥2.119843 +200：￥2.031516 +2500：￥1.978497 +7500：￥1.907882	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQD20N06TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥4.313311 +500：￥4.061759 +1000：￥3.919487 +3000：￥3.81449	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 63 毫欧 8.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 590 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），38W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQD20N06TM JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FQD20N06TM JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+2500：￥1.157973 +7500：￥1.137829 +12500：￥1.107616 +22500：￥1.057259	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQD20N06TM VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQD20N06TM VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.907303 +2500：￥1.796055 +7500：￥1.716526 +15000：￥1.668832	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQD20N06TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.823129 +50：￥3.947501 +1250：￥3.621399 +2500：￥3.325625 +15000：￥3.30062	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 63 毫欧 8.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 590 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），38W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQD20N06TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 63 毫欧 8.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 590 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），38W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQD20N06TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 63 毫欧 8.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 590 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），38W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FQD20N06TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.957094	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： QFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak

FQD20N06TM参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	16.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	63 毫欧 8.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	15 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	590 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），38W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQD20N06TM VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQD20N06TM VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.20817 +50：￥2.119843 +200：￥2.031516 +2500：￥1.978497 +7500：￥1.907882	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQD20N06TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥4.313311 +500：￥4.061759 +1000：￥3.919487 +3000：￥3.81449	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 63 毫欧 8.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 590 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），38W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQD20N06TM JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FQD20N06TM JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+2500：￥1.157973 +7500：￥1.137829 +12500：￥1.107616 +22500：￥1.057259	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQD20N06TM VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQD20N06TM VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.907303 +2500：￥1.796055 +7500：￥1.716526 +15000：￥1.668832	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQD20N06TM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.823129 +50：￥3.947501 +1250：￥3.621399 +2500：￥3.325625 +15000：￥3.30062	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 63 毫欧 8.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 590 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），38W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）