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FQPF45N15V2
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MOSFET N-CH 150V 45A TO-TO-220F

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国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: 最后售卖

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 45A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 40 毫欧 22.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 94 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3030 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 66W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FQPF45N15V2
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FQPF45N15V2 VBSEMI/微碧半导体

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FQPF45N15V2
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MOSFET N-CH 150V 45A TO-TO-220F

晶体管-FET,MOSFET-单个

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品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: 最后售卖

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 45A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 40 毫欧 22.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 94 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3030 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 66W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

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MOSFET N-CH 150V 45A TO-TO-220F

晶体管-FET,MOSFET-单个

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品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: QFET®

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FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

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不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

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功率耗散(最大值): 66W(Tc)

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品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: QFET®

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FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 45A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 40 毫欧 22.5A,10V

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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 94 nC 10 V

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功率耗散(最大值): 66W(Tc)

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FQPF45N15V2_晶体管
FQPF45N15V2
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MOSFET N-CH 150V 45A TO-TO-220F

晶体管

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货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Tube

封装/外壳: TO-220-3

系列: FQPF45N15V2

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 150 V

Id-连续漏极电流: 45 A

Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 94 nC

Pd-功率耗散: 66 W

通道模式: Enhancement

商标名: QFET

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 246 ns

正向跨导 - 最小值: 40 S

高度: 16.07 mm

长度: 10.36 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 232 ns

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: MOSFET

典型关闭延迟时间: 224 ns

典型接通延迟时间: 22 ns

宽度: 4.9 mm

零件号别名: FQPF45N15V2_NL

单位重量: 2 g

温度: - 55 C~+ 150 C

FQPF45N15V2参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: QFET®
零件状态: 最后售卖
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 45A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 40 毫欧 22.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 94 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3030 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 66W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220F-3
封装/外壳: TO-220-3 整包
温度: -55°C # 150°C(TJ)