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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMS8560S_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®, SyncFET™

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A(Ta),70A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.8 毫欧 30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 68 nC 10 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4350 pF 13 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),65W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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FDMS8560S_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®, SyncFET™

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A(Ta),70A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.8 毫欧 30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 68 nC 10 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4350 pF 13 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),65W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDMS8560S_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥18.163355

+10:

¥16.272883

+25:

¥15.449972

+100:

¥11.586244

+250:

¥11.475287

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®, SyncFET™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-PQFN (5x6)

FDMS8560S_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®, SyncFET™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-PQFN (5x6)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMS8560S_未分类
FDMS8560S
授权代理品牌

MOSFET N-CH 25V 30A 8-PQFN

未分类

+1:

¥17.551061

+10:

¥16.190513

+100:

¥13.510234

+500:

¥11.986423

+1000:

¥10.149682

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 3000

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMS8560S_未分类
FDMS8560S
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH Si 25V 30A 8-Pin PQFN EP T/R

未分类

+1:

¥10.01182

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDMS8560S参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®, SyncFET™
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A(Ta),70A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.8 毫欧 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 68 nC 10 V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4350 pF 13 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),65W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)
封装/外壳: 8-PowerTDFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)