品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-220-3

系列： FQP2N60C

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 600 V

Id-连续漏极电流： 2 A

Rds On-漏源导通电阻： 4.7 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压： - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2 V

Qg-栅极电荷： 12 nC

Pd-功率耗散： 54 W

通道模式： Enhancement

商标名： QFET

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 28 ns

正向跨导 - 最小值： 5 S

高度： 16.3 mm

长度： 10.67 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 25 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

类型： MOSFET

典型关闭延迟时间： 24 ns

典型接通延迟时间： 9 ns

宽度： 4.7 mm

零件号别名： FQP2N60C_NL

单位重量： 2 g

温度： - 55 C~+ 150 C