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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQA28N15 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 33A TO3PN 下载数据手册未分类	+1：￥5.293467 +10：￥4.400719 +30：￥3.959597 +100：￥3.518475 +500：￥3.108861	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 33A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 16.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQA28N15 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 33A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.658743 +10：￥19.475395 +100：￥15.661131 +500：￥12.871237 +1000：￥10.660894	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 33A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 16.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQA28N15 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 33A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.104838 +10：￥14.48053 +100：￥11.640411 +500：￥9.563924 +1000：￥7.924479	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 33A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 16.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQA28N15 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 33A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.829106 +10：￥25.022308 +100：￥20.114591 +500：￥16.526428 +1000：￥13.693474	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 33A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 16.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQA28N15 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 33A TO3PN 下载数据手册未分类	+1：￥35.817055 +10：￥32.20393 +100：￥25.920237 +450：￥21.207467 +900：￥17.594343	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 450

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQA28N15 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube 下载数据手册未分类	+450：￥17.790124 +500：￥16.313899 +1000：￥12.50877	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FQA28N15参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	90 毫欧 16.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	52 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1600 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	227W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-3PN
封装/外壳:	TO-3P-3，SC-65-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）