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自营 现货库存
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FQD4P25TM-WS_未分类
FQD4P25TM-WS
授权代理品牌

MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK

未分类

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 250 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.1A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.1 欧姆 1.55A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 420 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),45W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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FQD4P25TM-WS_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥6.225427

+2500:

¥2.65084

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 250 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.1A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.1 欧姆 1.55A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 420 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),45W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FQD4P25TM-WS_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+2500:

¥5.438255

+5000:

¥5.166422

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 250 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.1A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.1 欧姆 1.55A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 420 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),45W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FQD4P25TM-WS_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥12.850261

+10:

¥11.454031

+100:

¥8.93464

+500:

¥7.380497

+1000:

¥5.82673

库存: 0

货期:7~10 天

系列: QFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-Pak

FQD4P25TM-WS_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: QFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-Pak

Mouser
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FQD4P25TM-WS_晶体管
FQD4P25TM-WS
授权代理品牌

MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK

晶体管

+:

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: DPAK-3

系列: FQD4P25TM_WS

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 250 V

Id-连续漏极电流: 3.1 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.1 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V

Qg-栅极电荷: 14 nC

Pd-功率耗散: 45 W

通道模式: Enhancement

商标名: QFET

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 27 ns

高度: 2.39 mm

长度: 6.73 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 60 ns

晶体管类型: 1 P-Channel

典型关闭延迟时间: 14 ns

典型接通延迟时间: 9.5 ns

宽度: 6.22 mm

零件号别名: FQD4P25TM_WS

单位重量: 330 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

艾睿
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FQD4P25TM-WS_未分类
FQD4P25TM-WS
授权代理品牌

Trans MOSFET P-CH 250V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

未分类

+1:

¥14.015452

+10:

¥12.38696

+25:

¥12.256449

+100:

¥9.470761

+250:

¥9.129982

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FQD4P25TM-WS参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: QFET®
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.1 欧姆 1.55A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 420 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),45W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 150°C(TJ)