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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDA38N30 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥43.381262 +10：￥37.600736 +30：￥32.574192 +100：￥29.623829	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 38A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 19A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 312W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDA38N30 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.879373 +10：￥21.484709 +30：￥18.965023 +100：￥17.63769 +300：￥16.96268	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 38A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 19A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 312W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDA38N30 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+450：￥16.54767 +900：￥15.620992 +1800：￥15.356243 +3600：￥15.091378	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 38A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 19A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 312W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	FDA38N30 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.872152 +30：￥14.157548 +120：￥12.135717 +510：￥10.787071 +1020：￥9.236457	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 38A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 19A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 312W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDA38N30 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥73.586436 +30：￥41.841768 +120：￥34.579966 +510：￥29.256653 +1020：￥28.302476	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 38A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 85 毫欧 19A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 312W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDA38N30 ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 下载数据手册未分类	+1：￥13.936371	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 85mOhm @ 19A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 5V @ 250µA Supplier Device Package： TO-3PN Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±30V Drain to Source Voltage (Vdss)： 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2600 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDA38N30 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN 下载数据手册未分类	+1：￥74.62302 +10：￥63.512481 +30：￥45.437127 +120：￥37.477338 +510：￥31.673326	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 30

艾睿

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDA38N30 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube 下载数据手册未分类	+1：￥42.585019 +10：￥36.949146 +30：￥31.51962 +120：￥30.965061 +270：￥26.915486	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
FDA38N30 ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube 下载数据手册未分类	+450：￥30.197082 +510：￥27.488477	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
FDA38N30 ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube 下载数据手册未分类	+1：￥71.522665 +10：￥66.229276 +25：￥41.139849 +50：￥40.783861 +100：￥34.809452	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDA38N30参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	UniFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	38A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	85 毫欧 19A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	60 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2600 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	312W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-3PN
封装/外壳:	TO-3P-3，SC-65-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）