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	FCD3400N80Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 2A DPAK 下载数据手册	+1：￥10.009379 +10：￥8.534198 +30：￥7.72558 +100：￥6.807689 +500：￥6.370598	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 32W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FCD3400N80Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 2A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥6.245387 +5000：￥6.139464 +7500：￥6.033657	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 32W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FCD3400N80Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 2A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 32W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FCD3400N80Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 2A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥5.707586 +5000：￥5.492981 +12500：￥5.311132	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 32W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FCD3400N80Z ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.880916	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 32W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FCD3400N80Z ON(安森美) 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.372124	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 32W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FCD3400N80Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 2A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥9.862688 +5000：￥9.491852 +12500：￥9.177618	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 32W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FCD3400N80Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 2A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.894419 +10：￥18.162416 +100：￥14.460269 +500：￥12.235498 +1000：￥10.381687	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： SuperFET® II 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： DPAK
FCD3400N80Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 2A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.894419 +10：￥18.162416 +100：￥14.460269 +500：￥12.235498 +1000：￥10.381687	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： SuperFET® II 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： DPAK
FCD3400N80Z ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N 下载数据手册未分类	+1：￥11.890199	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.4Ohm @ 1A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 200µA Supplier Device Package： TO-252, (D-Pak) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 9.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 400 pF @ 100 V

FCD3400N80Z参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	SuperFET® II
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.4 欧姆 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	9.6 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	400 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	32W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FCD3400N80Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 2A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥5.707586 +5000：￥5.492981 +12500：￥5.311132	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 32W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FCD3400N80Z ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.880916	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 32W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FCD3400N80Z ON(安森美) 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.372124	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.4 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 400 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 32W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）