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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDA24N40F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 23A TO-3PN 下载数据手册未分类	+1：￥23.340649 +10：￥21.49394 +30：￥18.434304	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 11.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3030 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 235W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDA24N40F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 23A TO-3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.911509	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 11.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3030 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 235W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDA24N40F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 23A TO-3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥27.783 +100：￥27.088425 +500：￥26.625375	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 11.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3030 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 235W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDA24N40F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 23A TO-3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.545246 +30：￥18.665261 +120：￥15.998936 +510：￥14.221329 +1020：￥12.176972	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 11.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3030 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 235W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDA24N40F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 23A TO-3PN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥57.597908 +30：￥45.660174 +120：￥39.137638 +510：￥34.789138 +1020：￥29.788099	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 190 毫欧 11.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3030 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 235W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PN 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDA24N40F ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 23A TO-3PN 下载数据手册未分类	+1：￥65.842772 +10：￥55.249256 +30：￥44.655743 +270：￥39.766427 +510：￥35.203065	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 30

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDA24N40F ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube 下载数据手册未分类	+450：￥32.153704 +500：￥31.825924 +510：￥31.326449 +1000：￥29.640721 +2000：￥28.704205	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDA24N40F onsemi(安森美) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube 下载数据手册未分类	+3：￥32.618322	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDA24N40F onsemi(安森美) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 400V, 23A, TO-3PN-3 下载数据手册未分类	+1：￥38.713646 +10：￥26.466153 +100：￥23.575115 +500：￥20.868048 +1000：￥20.447536	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDA24N40F onsemi(安森美) 授权代理品牌	MOSFET, N CH, 400V, 23A, TO-3PN-3 下载数据手册未分类	+1：￥33.930161 +10：￥28.765824 +120：￥25.30282 +510：￥22.225939 +1020：￥21.031385	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDA24N40F参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	UniFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	23A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	190 毫欧 11.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	60 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3030 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	235W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-3PN
封装/外壳:	TO-3P-3，SC-65-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）