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FDB045AN08A0
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FDB045AN08A0 VBSEMI/微碧半导体

未分类

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¥5.102348

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¥4.974778

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国内:1~2 天

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FDB045AN08A0_晶体管-FET,MOSFET-单个
FDB045AN08A0
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 75 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 19A(Ta),90A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.5 毫欧 80A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 138 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6600 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 310W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
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FDB045AN08A0_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 75 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 19A(Ta),90A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.5 毫欧 80A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 138 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6600 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 310W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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FDB045AN08A0_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 75 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 19A(Ta),90A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.5 毫欧 80A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 138 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6600 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 310W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

FDB045AN08A0_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥48.806282

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¥43.826804

+100:

¥35.912774

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D²PAK

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¥12.894043

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¥12.397931

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¥11.902105

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¥11.406281

+300:

¥10.910311

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D²PAK

Mouser
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FDB045AN08A0_晶体管
FDB045AN08A0
授权代理品牌

MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK

晶体管

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¥57.374876

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¥48.182217

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¥45.487816

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¥38.989556

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¥36.770639

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: SC-70-3

系列: FDB045AN08A0

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 75 V

Id-连续漏极电流: 80 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 138 nC

Pd-功率耗散: 310 W

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 45 ns

高度: 4.83 mm

长度: 10.67 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 88 ns

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 40 ns

典型接通延迟时间: 18 ns

宽度: 9.65 mm

零件号别名: FDB045AN08A0_NL

单位重量: 4 g

温度: - 55 C~+ 175 C

艾睿
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FDB045AN08A0_未分类
FDB045AN08A0
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

未分类

+800:

¥25.897942

+1600:

¥25.771145

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDB045AN08A0参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 19A(Ta),90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.5 毫欧 80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 138 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6600 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 310W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D²PAK(TO-263)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 175°C(TJ)