锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 FCPF11N608 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FCPF11N60_晶体管-FET,MOSFET-单个
FCPF11N60
授权代理品牌
+1:

¥35.9835

+10:

¥31.33941

+30:

¥28.574811

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: SuperFET™

零件状态: 不适用于新设计

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 380 毫欧 5.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 52 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1490 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 36W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FCPF11N60_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥22.126518

+10:

¥19.882197

+100:

¥16.291784

+500:

¥13.869001

+1000:

¥11.696694

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: SuperFET™

零件状态: 不适用于新设计

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 380 毫欧 5.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 52 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1490 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 36W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FCPF11N60_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥39.95932

+10:

¥35.903569

+100:

¥29.42035

+500:

¥25.045163

+1000:

¥21.12233

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: SuperFET™

零件状态: 不适用于新设计

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 380 毫欧 5.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 52 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1490 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 36W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FCPF11N60_未分类
FCPF11N60
授权代理品牌

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

未分类

+175:

¥20.577854

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-220-3 Full Pack

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 36W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA

Supplier Device Package: TO-220F-3

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FCPF11N60_未分类
FCPF11N60
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 11A TO220F

未分类

+1:

¥53.658398

+10:

¥48.308293

+100:

¥39.496358

+500:

¥33.674185

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Tube

標準包裝數量: 50

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FCPF11N60_未分类
FCPF11N60
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

未分类

+1:

¥43.764338

+10:

¥39.282112

+100:

¥33.226931

+500:

¥22.480727

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
FCPF11N60_未分类
FCPF11N60
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

未分类

+1:

¥10.122592

+10:

¥10.0516

+100:

¥9.929104

+500:

¥9.565794

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FCPF11N60_未分类
FCPF11N60
授权代理品牌

MOSFET, N, TO-220F

未分类

+1:

¥30.566463

+10:

¥27.491101

+100:

¥22.533118

+500:

¥19.177119

+1000:

¥16.171925

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FCPF11N60参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: SuperFET™
零件状态: 不适用于新设计
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 380 毫欧 5.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 52 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1490 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 36W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220F-3
封装/外壳: TO-220-3 整包
温度: -55°C # 150°C(TJ)