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FDB9409L-F085_未分类
FDB9409L-F085
授权代理品牌

NMOS D2PAK 40V 3.5 MOHM

未分类

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.9 毫欧 80A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 68 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3360 pF 20 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 94W(Tj)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
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FDB9409L-F085_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.9 毫欧 80A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 68 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3360 pF 20 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 94W(Tj)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.9 毫欧 80A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 68 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3360 pF 20 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 94W(Tj)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D²PAK (TO-263)

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NMOS D2PAK 40V 3.5 MOHM

晶体管

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货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Cut Tape,Reel

封装/外壳: SC-70-3

系列:

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 90 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.3 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 52 nC

Pd-功率耗散: 94 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 10 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 25 ns

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 38 ns

典型接通延迟时间: 11 ns

零件号别名: FDB9409L_F085

单位重量: 4 g

温度: - 55 C~+ 175 C

FDB9409L-F085参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.9 毫欧 80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 68 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3360 pF 20 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 94W(Tj)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D²PAK(TO-263)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 175°C(TJ)