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FQP7N80C
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MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3

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¥7.769289

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¥6.556362

+30:

¥5.889799

+100:

¥5.135817

+500:

¥4.807999

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: QFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220-3

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FQP7N80C
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MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3

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¥25.998265

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¥22.659201

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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FQP7N80C_晶体管-FET,MOSFET-单个
FQP7N80C
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¥14.116079

+500:

¥13.898909

+1000:

¥13.681738

+2000:

¥13.464568

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: QFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220-3

自营 国内现货
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: QFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220-3

Digi-Key
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库存: 0

货期:7~10 天

系列: QFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220-3

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FQP7N80C
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MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3

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¥74.810327

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-220-3

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.3A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 167W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA

Supplier Device Package: TO-220-3

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V

Mouser
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FQP7N80C
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MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Tube

標準包裝數量: 1000

艾睿
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FQP7N80C
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Trans MOSFET N-CH 800V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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+1000:

¥15.951314

库存: 0

货期:7~10 天

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FQP7N80C
授权代理品牌
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¥31.300071

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¥21.566513

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¥18.131138

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FQP7N80C参数规格

属性 参数值
系列: QFET®
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220-3