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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF5N90 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V 3A TO220F 下载数据手册未分类	+1：￥22.542958 +10：￥19.778359 +30：￥18.139268 +100：￥16.478323 +500：￥15.713414	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.3 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 51W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQPF5N90 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V 3A TO220F 下载数据手册未分类	+991：￥9.444388	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.3 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 51W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQPF5N90 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V 3A TO220F 下载数据手册未分类	+50：￥25.589247 +250：￥22.303699	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQPF5N90 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V 3A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥24.44904 +2000：￥24.041556 +4000：￥23.634072 +8000：￥23.226588	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.3 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 51W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	FQPF5N90 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V 3A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.3 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 51W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF5N90 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V 3A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.3 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 51W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FQPF5N90 ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 下载数据手册未分类	+205：￥22.488994	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-220-3 Full Pack Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.3Ohm @ 1.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 51W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 5V @ 250µA Supplier Device Package： TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±30V Drain to Source Voltage (Vdss)： 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1550 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF5N90 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V 3A TO220F 下载数据手册未分类	+1：￥47.427075 +10：￥39.467286 +100：￥31.341668 +250：￥29.020063 +500：￥26.366801	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 1000

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF5N90 onsemi(安森美) 授权代理品牌	Days to ship 7 下载数据手册未分类	+40：￥17.910406	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQPF5N90 onsemi(安森美) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+40：￥15.969337 +500：￥15.279302 +900：￥14.687845 +3000：￥14.194966 +8000：￥13.504933	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FQPF5N90参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.3 欧姆 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	40 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1550 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	51W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220F-3
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQPF5N90 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V 3A TO220F 下载数据手册未分类	+991：￥9.444388	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.3 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 51W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQPF5N90 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V 3A TO220F 下载数据手册未分类	+50：￥25.589247 +250：￥22.303699	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQPF5N90 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V 3A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥24.44904 +2000：￥24.041556 +4000：￥23.634072 +8000：￥23.226588	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.3 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 51W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）