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	FDD86567-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥97.803098 +10：￥93.76998 +30：￥86.785545 +100：￥80.683355	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.2 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 82 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4950 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD86567-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.572868	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.2 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 82 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4950 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	FDD86567-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥7.455402 +5000：￥7.179256	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.2 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 82 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4950 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD86567-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥12.88291 +5000：￥12.405732	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.2 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 82 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4950 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDD86567-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥28.198519 +10：￥25.286214 +100：￥20.326048 +500：￥16.699996 +1000：￥13.837152	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-PAK (TO-252)
FDD86567-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥28.198519 +10：￥25.286214 +100：￥20.326048 +500：￥16.699996 +1000：￥13.837152	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-PAK (TO-252)

Mouser

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	FDD86567-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥36.76809 +10：￥30.270282 +100：￥24.406405 +250：￥23.297023 +500：￥20.602808	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 2500

艾睿

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	FDD86567-F085 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥11.928433	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDD86567-F085参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.2 毫欧 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	82 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4950 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	227W（Tj）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）