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FDMC86116LZ_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP

晶体管-FET,MOSFET-单个

+10:

¥18.851616

+100:

¥13.967712

+200:

¥10.782288

+500:

¥9.155664

+800:

¥8.234784

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.3A(Ta),7.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 103 毫欧 3.3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 310 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.3W(Ta),19W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-MLP(3.3x3.3)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
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FDMC86116LZ_未分类
FDMC86116LZ
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP

未分类

+1:

¥16.456469

+10:

¥14.402142

+30:

¥13.112724

+100:

¥11.790524

+500:

¥11.200452

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.3A(Ta),7.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 103 毫欧 3.3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 310 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.3W(Ta),19W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-MLP(3.3x3.3)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMC86116LZ_未分类
FDMC86116LZ
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP

未分类

+100:

¥7.86105

+500:

¥6.495349

+1000:

¥5.183386

+3000:

¥4.774704

+6000:

¥4.495173

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
自营 国内现货
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FDMC86116LZ_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥6.692126

+10:

¥5.976243

+100:

¥4.661403

+500:

¥3.850781

+1000:

¥3.040067

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.3A(Ta),7.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 103 毫欧 3.3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 310 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.3W(Ta),19W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-MLP(3.3x3.3)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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FDMC86116LZ_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP

晶体管-FET,MOSFET-单个

+3000:

¥5.205217

+6000:

¥4.957374

+9000:

¥4.728594

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.3A(Ta),7.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 103 毫欧 3.3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 310 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.3W(Ta),19W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-MLP(3.3x3.3)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDMC86116LZ_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥12.585326

+10:

¥10.292555

+100:

¥8.008505

+500:

¥6.787852

+1000:

¥5.52932

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: 8-MLP (3.3x3.3)

FDMC86116LZ_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥12.585326

+10:

¥10.292555

+100:

¥8.008505

+500:

¥6.787852

+1000:

¥5.52932

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: 8-MLP (3.3x3.3)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMC86116LZ_未分类
FDMC86116LZ
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP

未分类

+1:

¥13.913076

+10:

¥12.415763

+100:

¥9.686151

+500:

¥8.00333

+1000:

¥6.439766

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 3000

艾睿
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FDMC86116LZ_未分类
FDMC86116LZ
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

未分类

+3000:

¥5.273431

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDMC86116LZ参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.3A(Ta),7.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 103 毫欧 3.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 310 pF 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.3W(Ta),19W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-MLP(3.3x3.3)
封装/外壳: 8-PowerWDFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)