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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCPF400N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V TO-220-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1580 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCPF400N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V TO-220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥45.196767 +100：￥28.846472 +500：￥23.786879 +1000：￥21.868308	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1580 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCPF400N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V TO-220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.732142 +10：￥15.058929 +100：￥12.104347 +500：￥9.945042 +1000：￥8.240151	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1580 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCPF400N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V TO-220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥28.913087 +10：￥26.021779 +100：￥20.916271 +500：￥17.185 +1000：￥14.238954	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1580 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 31W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCPF400N60 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V TO-220-3 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： TO-220-3 系列： FCPF400N60 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： Through Hole 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 650 V Id-连续漏极电流： 10 A Rds On-漏源导通电阻： 400 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压： 2.5 V Qg-栅极电荷： 38 nC Pd-功率耗散： 31 W 通道模式： Enhancement 商标名： SuperFET II 商标： onsemi / Fairchild 配置： Single 高度： 16.07 mm 长度： 10.36 mm 产品类型： MOSFET 晶体管类型： 1 N-Channel 宽度： 4.9 mm 单位重量： 2 g 温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCPF400N60 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+1000：￥12.572576	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FCPF400N60参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	SuperFET® II
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	400 毫欧 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	38 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1580 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	31W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220F-3
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）