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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDW264P_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+178:

¥10.082192

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.7A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 10 毫欧 9.7A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 135 nC 5 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7225 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.3W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-TSSOP

封装/外壳: 8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDW264P_晶体管-FET,MOSFET-单个
+178:

¥17.421994

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-TSSOP (0.173#, 4.40mm Width)

供应商器件封装: 8-TSSOP

FDW264P_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.7A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 10 毫欧 9.7A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 135 nC 5 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7225 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.3W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-TSSOP

封装/外壳: 8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDW264P参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 10 毫欧 9.7A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 135 nC 5 V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7225 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.3W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-TSSOP
封装/外壳: 8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
温度: -55°C # 150°C(TJ)