搜索 FDPF10N60NZ 共 15 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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FDPF10N60NZ 授权代理品牌 | +1: ¥19.16976 +10: ¥16.431177 +30: ¥14.377373 +100: ¥12.107184 +500: ¥11.501877 | ||||
FDPF10N60NZ 授权代理品牌 | +10: ¥4.716394 +1000: ¥4.441304 +3000: ¥4.323362 +6000: ¥4.126898 | 暂无参数 | |||
FDPF10N60NZ 授权代理品牌 | +10: ¥27.754214 +25: ¥26.244501 +100: ¥22.365481 +500: ¥18.376077 +1000: ¥15.1722 | 暂无参数 | |||
FDPF10N60NZ 授权代理品牌 | +50: ¥2.711916 +150: ¥2.641194 +250: ¥2.570471 +8950: ¥2.476139 | 暂无参数 | |||
FDPF10N60NZ 授权代理品牌 | +10: ¥26.569169 +100: ¥21.358634 +500: ¥17.551898 +1000: ¥14.542306 +2000: ¥13.542832 | 暂无参数 | |||
FDPF10N60NZ 授权代理品牌 | +1: ¥4.584311 +10: ¥4.312385 +100: ¥4.234708 +500: ¥4.156915 | 暂无参数 | |||
FDPF10N60NZ | +3: ¥4.545414 +20: ¥4.273488 +100: ¥4.234708 +1000: ¥4.156915 | 暂无参数 |
FDPF10N60NZ参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | onsemi |
包装: | 管件 |
封装/外壳: | * |
系列: | UniFET-II™ |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 750 毫欧 5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 30 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1475 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 38W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220F-3 |
封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |