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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDPF10N60NZ_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥9.583216

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¥8.829234

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¥8.348434

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: UniFET-II™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 750 毫欧 5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1475 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 38W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDPF10N60NZ_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥8.529532

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: UniFET-II™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 750 毫欧 5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1475 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 38W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FDPF10N60NZ_未分类
FDPF10N60NZ
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

未分类

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¥19.16976

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¥16.431177

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¥14.377373

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¥12.107184

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¥11.501877

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: UniFET-II™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 750 毫欧 5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1475 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 38W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FDPF10N60NZ
授权代理品牌

FDPF10N60NZ VBSEMI/台湾微碧半导体

未分类

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¥4.716394

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¥4.441304

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¥4.323362

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¥4.126898

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FDPF10N60NZ
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

未分类

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¥27.754214

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¥26.244501

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¥22.365481

+500:

¥18.376077

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¥15.1722

库存: 1000 +

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FDPF10N60NZ
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FDPF10N60NZ JSMICRO/深圳杰盛微

未分类

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¥2.711916

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¥2.641194

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¥2.570471

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¥2.476139

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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FDPF10N60NZ
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

未分类

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¥26.569169

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¥21.358634

+500:

¥17.551898

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¥14.542306

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¥13.542832

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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FDPF10N60NZ
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FDPF10N60NZ VBSEMI/台湾微碧半导体

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¥4.584311

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¥4.312385

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¥4.234708

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¥4.156915

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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FDPF10N60NZ
授权代理品牌

FDPF10N60NZ VBSEMI/微碧半导体

未分类

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¥4.545414

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¥4.273488

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¥4.234708

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¥4.156915

库存: 1000 +

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自营 国内现货
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FDPF10N60NZ_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥18.817957

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¥16.91366

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¥13.592765

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¥11.167683

库存: 1000 +

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品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: UniFET-II™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 750 毫欧 5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30 nC 10 V

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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1475 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 38W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDPF10N60NZ参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: UniFET-II™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 750 毫欧 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30 nC 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1475 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 38W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220F-3
封装/外壳: TO-220-3 整包
温度: -55°C # 150°C(TJ)