FDMC013P030Z厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 FDMC013P030Z 共 7 条相关记录

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC013P030Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 30V 54A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 54A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5785 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMC013P030Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 30V 54A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 54A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5785 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMC013P030Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 30V 54A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-MLP (3.3x3.3)
FDMC013P030Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 30V 54A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-MLP (3.3x3.3)
FDMC013P030Z ON(安森美) 授权代理品牌	P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET -30 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-PowerWDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 7mOhm @ 14A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±25V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 5785 pF @ 15 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC013P030Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 30V 54A 8MLP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 54A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5785 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC013P030Z 授权代理品牌	FDMC013P030Z ON Semiconductor Transistors MOSFETs P-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R - Arrow.com 下载数据手册未分类	+1：￥30.637252	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMC013P030Z参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	54A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7 毫欧 14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	135 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5785 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	30W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-MLP（3.3x3.3）
封装/外壳:	8-PowerWDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）