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FDU7N60NZTU_未分类
FDU7N60NZTU
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V SGL IPAK

未分类

+5040:

¥3.224155

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: UniFET-II™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

供应商器件封装: I-PAK

自营 国内现货
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FDU7N60NZTU_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: UniFET-II™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

供应商器件封装: I-PAK

FDU7N60NZTU_晶体管-FET,MOSFET-单个
FDU7N60NZTU
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: UniFET-II™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

供应商器件封装: I-PAK

Digi-Key
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FDU7N60NZTU_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 0

货期:7~10 天

系列: UniFET-II™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

供应商器件封装: I-PAK

Mouser
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FDU7N60NZTU_晶体管
FDU7N60NZTU
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V SGL IPAK

晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Tube

封装/外壳: TO-251-3

系列: FDU7N60NZTU

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 5.5 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.05 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 17 nC

Pd-功率耗散: 90 W

通道模式: Enhancement

商标名: UniFET

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

高度: 6.3 mm

长度: 6.8 mm

产品类型: MOSFET

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 2.5 mm

单位重量: 340 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

FDU7N60NZTU参数规格

属性 参数值
系列: UniFET-II™
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
封装/外壳: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供应商器件封装: I-PAK