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	FDP3652 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.252039 +10：￥17.50144 +50：￥14.584493	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Ta），61A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 61A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2880 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	FDP3652 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.599142 +10：￥10.92727 +50：￥9.878252	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Ta），61A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 61A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2880 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	FDP3652 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDP3652 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥4.766986 +50：￥4.684881 +500：￥4.520458 +5000：￥4.397142 +30000：￥4.109507	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDP3652 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Ta），61A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 61A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2880 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	FDP3652 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.070599 +10：￥8.899265 +100：￥6.348309 +800：￥4.960449 +1600：￥4.799099	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Ta），61A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 61A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2880 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	FDP3652 ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.070599 +10：￥8.899265 +100：￥6.348309 +800：￥4.960449 +1600：￥4.799099	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Ta），61A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 61A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2880 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP3652 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.974147 +10：￥21.769959 +100：￥15.529645 +800：￥12.134572 +1600：￥11.739867	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Ta），61A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 61A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2880 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	FDP3652 ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Fairchild Semiconductor 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A (Ta), 61A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16mOhm 61A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 53 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2880 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP3652 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥38.306483 +10：￥26.864288 +100：￥18.73867 +500：￥16.748722 +1000：￥14.543199	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： TO-220-3 系列： FDP3652 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： Through Hole 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 100 V Id-连续漏极电流： 61 A Rds On-漏源导通电阻： 14 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压： 4 V Qg-栅极电荷： 41 nC Pd-功率耗散： 150 W 通道模式： Enhancement 商标： onsemi / Fairchild 配置： Single 下降时间： 45 ns 高度： 16.3 mm 长度： 10.67 mm 产品类型： MOSFET 上升时间： 85 ns 晶体管类型： 1 N-Channel 类型： MOSFET 典型关闭延迟时间： 26 ns 典型接通延迟时间： 12 ns 宽度： 4.7 mm 零件号别名： FDP3652_NL 单位重量： 2 g 温度： - 55 C~+ 175 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP3652 ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+800：￥11.402456	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDP3652参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9A（Ta），61A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	16 毫欧 61A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	53 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2880 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）