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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD3N50NZTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.535144 +10：￥5.399981 +30：￥4.837704	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UniFET-II™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 1.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 280 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDD3N50NZTM VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	N沟道 650V 4.5A 下载数据手册未分类	+1：￥3.458534 +10：￥2.875039 +30：￥2.588596	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD3N50NZTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥3.824793 +500：￥3.634418 +1000：￥3.541175 +3000：￥3.449121	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UniFET-II™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 1.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 280 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD3N50NZTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.142942 +3：￥5.056506 +5：￥5.013288 +7：￥4.926852	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UniFET-II™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 1.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 280 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD3N50NZTM VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD3N50NZTM VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+6：￥2.119149 +60：￥2.066014 +150：￥2.012878 +300：￥1.977456 +500：￥1.925362	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD3N50NZTM JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDD3N50NZTM JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.148302 +2500：￥1.12745 +7500：￥1.096117 +20000：￥1.064676	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD3N50NZTM VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD3N50NZTM VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.087754 +2500：￥2.000777 +7500：￥1.913801 +10000：￥1.77464	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD3N50NZTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UniFET-II™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 1.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 280 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD3N50NZTM 授权代理品牌	FDD3N50NZTM VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.295802 +20：￥2.236879 +50：￥2.158392 +2500：￥2.138828	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD3N50NZTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UniFET-II™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 1.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 280 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDD3N50NZTM参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	UniFET-II™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.5 欧姆 1.25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	280 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	40W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD3N50NZTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥3.824793 +500：￥3.634418 +1000：￥3.541175 +3000：￥3.449121	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UniFET-II™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 1.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 280 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD3N50NZTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.142942 +3：￥5.056506 +5：￥5.013288 +7：￥4.926852	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UniFET-II™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 1.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 280 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD3N50NZTM VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD3N50NZTM VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+6：￥2.119149 +60：￥2.066014 +150：￥2.012878 +300：￥1.977456 +500：￥1.925362	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD3N50NZTM JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDD3N50NZTM JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.148302 +2500：￥1.12745 +7500：￥1.096117 +20000：￥1.064676	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD3N50NZTM VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD3N50NZTM VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.087754 +2500：￥2.000777 +7500：￥1.913801 +10000：￥1.77464	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD3N50NZTM ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UniFET-II™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 1.25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 280 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDD3N50NZTM 授权代理品牌	FDD3N50NZTM VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.295802 +20：￥2.236879 +50：￥2.158392 +2500：￥2.138828	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数