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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP8N60C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 3.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1255 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 147W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP8N60C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220-3 下载数据手册未分类	+1186：￥7.265344	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 3.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1255 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 147W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FQP8N60C VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQP8N60C VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.715948 +150：￥3.573026 +1150：￥3.144264 +5550：￥3.087137 +11100：￥2.858421	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP8N60C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.663428 +10：￥14.975992 +100：￥12.034933 +500：￥9.887671	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 3.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1255 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 147W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP8N60C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥28.794348 +10：￥25.878464 +100：￥20.796324 +500：￥17.085862	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 3.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1255 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 147W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP8N60C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥36.60966 +10：￥32.902353 +100：￥24.869854 +500：￥21.471489 +1000：￥20.390189	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： TO-220-3 系列： FQP8N60C 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： Through Hole 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 600 V Id-连续漏极电流： 7.5 A Rds On-漏源导通电阻： 1.2 Ohms Vgs - 栅极-源极电压： - 30 V, + 30 V Vgs th-栅源极阈值电压： 4 V Qg-栅极电荷： 28 nC Pd-功率耗散： 147 W 通道模式： Enhancement 商标： onsemi / Fairchild 配置： Single 下降时间： 64.5 ns 正向跨导 - 最小值： 8.7 S 高度： 16.3 mm 长度： 10.67 mm 产品类型： MOSFET 上升时间： 60.5 ns 晶体管类型： 1 N-Channel 类型： MOSFET 典型关闭延迟时间： 81 ns 典型接通延迟时间： 16.5 ns 宽度： 4.7 mm 零件号别名： FQP8N60C_NL 单位重量： 2 g 温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP8N60C 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+1000：￥13.98354	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FQP8N60C参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.2 欧姆 3.75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	36 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1255 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	147W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）