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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP9P25 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 9.4A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥13.593524 +10：￥11.823306 +30：￥10.719652 +100：￥9.594143 +500：￥9.080561	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 620 毫欧 4.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 120W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQP9P25 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 9.4A TO220-3 下载数据手册未分类	+10：￥15.20561 +100：￥12.22272 +500：￥10.047285 +1000：￥9.127854	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP9P25 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 9.4A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥18.33678 +3000：￥17.572748 +10000：￥16.808715	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 620 毫欧 4.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 120W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQP9P25 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 9.4A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥20.00376 +2000：￥19.670364 +4000：￥19.336968 +8000：￥19.003572	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 620 毫欧 4.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 120W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP9P25 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 9.4A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥6.049499	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 620 毫欧 4.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 120W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP9P25 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 9.4A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥14.798677	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 620 毫欧 4.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 120W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	FQP9P25 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 9.4A TO220-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： TO-220-3 系列： FQP9P25 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： Through Hole 晶体管极性： P-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 250 V Id-连续漏极电流： 9.4 A Rds On-漏源导通电阻： 620 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 30 V, + 30 V Vgs th-栅源极阈值电压： 5 V Qg-栅极电荷： 38 nC Pd-功率耗散： 120 W 通道模式： Enhancement 商标名： QFET 商标： onsemi / Fairchild 配置： Single 下降时间： 65 ns 正向跨导 - 最小值： 5.7 S 高度： 16.3 mm 长度： 10.67 mm 产品类型： MOSFET 上升时间： 150 ns 晶体管类型： 1 P-Channel 类型： MOSFET 典型关闭延迟时间： 45 ns 典型接通延迟时间： 20 ns 宽度： 4.7 mm 零件号别名： FQP9P25_NL 单位重量： 2 g 温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP9P25 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 250V 9.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+1：￥27.576539 +10：￥24.193077 +100：￥19.73163 +500：￥16.079299 +1000：￥13.222265	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FQP9P25参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	620 毫欧 4.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	38 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1180 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	120W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQP9P25 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 9.4A TO220-3 下载数据手册未分类	+10：￥15.20561 +100：￥12.22272 +500：￥10.047285 +1000：￥9.127854	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP9P25 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 9.4A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥18.33678 +3000：￥17.572748 +10000：￥16.808715	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 620 毫欧 4.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 120W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQP9P25 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 9.4A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥20.00376 +2000：￥19.670364 +4000：￥19.336968 +8000：￥19.003572	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 620 毫欧 4.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 120W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）