品牌： onsemi

包装： 管件,散装

封装/外壳： *

系列： UniFET™

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 250 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 51A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 25.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 70 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3410 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 320W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220-3

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-220-3

系列： FDP51N25

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 250 V

Id-连续漏极电流： 51 A

Rds On-漏源导通电阻： 60 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 3 V

Qg-栅极电荷： 70 nC

Pd-功率耗散： 320 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 130 ns

高度： 16.3 mm

长度： 10.67 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 465 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 98 ns

典型接通延迟时间： 62 ns

宽度： 4.7 mm

单位重量： 2 g

温度： - 55 C~+ 150 C