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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP50N06L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 52.4A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.452089 +10：￥9.24447 +50：￥9.102416 +100：￥8.971289	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 26.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1630 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 121W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQP50N06L VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQP50N06L VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.063528 +200：￥3.015361 +400：￥2.967088 +1180：￥2.918815 +3930：￥2.822375	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP50N06L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 52.4A TO220-3 下载数据手册未分类	+50：￥15.170524 +100：￥14.714805 +200：￥14.273388	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP50N06L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 52.4A TO220-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 26.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1630 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 121W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FQP50N06L VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQP50N06L VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+3：￥3.311849 +1000：￥3.046985 +3000：￥2.914437 +8000：￥2.782004	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP50N06L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 52.4A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥8.873893 +3750：￥8.358396	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 26.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1630 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 121W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FQP50N06L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 52.4A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+300：￥6.765029 +500：￥6.733862 +1000：￥6.702693 +5000：￥6.60919	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 26.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1630 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 121W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FQP50N06L VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQP50N06L VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.980493 +100：￥3.814953 +500：￥3.647908 +1000：￥3.482368	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP50N06L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 52.4A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 26.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1630 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 121W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP50N06L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 52.4A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 26.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1630 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 121W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

FQP50N06L参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	52.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	21 毫欧 26.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	32 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1630 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	121W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQP50N06L VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQP50N06L VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.063528 +200：￥3.015361 +400：￥2.967088 +1180：￥2.918815 +3930：￥2.822375	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP50N06L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 52.4A TO220-3 下载数据手册未分类	+50：￥15.170524 +100：￥14.714805 +200：￥14.273388	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP50N06L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 52.4A TO220-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 26.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1630 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 121W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FQP50N06L VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQP50N06L VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+3：￥3.311849 +1000：￥3.046985 +3000：￥2.914437 +8000：￥2.782004	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FQP50N06L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 52.4A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥8.873893 +3750：￥8.358396	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 26.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1630 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 121W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FQP50N06L ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 52.4A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+300：￥6.765029 +500：￥6.733862 +1000：￥6.702693 +5000：￥6.60919	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 52.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 26.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1630 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 121W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FQP50N06L VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FQP50N06L VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.980493 +100：￥3.814953 +500：￥3.647908 +1000：￥3.482368	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数