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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP4P40 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 400V 3.5A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥36.508009 +10：￥32.093392 +30：￥29.405284 +100：￥27.154266	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 欧姆 1.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 85W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP4P40 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 400V 3.5A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.678134 +10：￥28.710026 +30：￥25.20879 +100：￥24.508542 +300：￥24.041788	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 欧姆 1.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 85W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FQP4P40 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 400V 3.5A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥28.89432 +1000：￥27.608546 +2000：￥26.976482 +10000：￥25.96275	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 欧姆 1.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 85W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	FQP4P40 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 400V 3.5A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 欧姆 1.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 85W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP4P40 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 400V 3.5A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 欧姆 1.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 85W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP4P40 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 400V 3.5A TO220-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 1000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQP4P40 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 400V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+1000：￥11.013997	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FQP4P40参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.1 欧姆 1.75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	23 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	680 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	85W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）