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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCP125N65S3R0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥17.158431 +200：￥6.646862 +500：￥6.4087 +1000：￥6.28962	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 2.4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1940 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 181W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCP125N65S3R0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥25.815331 +50：￥20.468871 +100：￥17.544496 +500：￥15.59503 +1000：￥13.353243	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 2.4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1940 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 181W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCP125N65S3R0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥63.151139 +50：￥50.072281 +100：￥42.918486 +500：￥38.149575 +1000：￥32.66557	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 2.4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1940 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 181W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCP125N65S3R0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥72.19124 +10：￥60.758238 +50：￥55.205065 +100：￥48.99858 +250：￥48.835251	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 50

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCP125N65S3R0 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+800：￥24.914246	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FCP125N65S3R0参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	SuperFET® III
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	125 毫欧 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 2.4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	46 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1940 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	181W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）