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FDMS86163P_晶体管-FET,MOSFET-单个
FDMS86163P
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MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥8.93024

+10:

¥8.59949

+100:

¥7.60724

+500:

¥7.40879

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.9A(Ta),50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 7.9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 59 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4085 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),104W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FDMS86163P_晶体管-FET,MOSFET-单个
FDMS86163P
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MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN

晶体管-FET,MOSFET-单个

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¥24.38755

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¥16.4923

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¥12.10605

+3000:

¥8.7725

+6000:

¥8.333875

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.9A(Ta),50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 7.9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 59 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4085 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),104W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FDMS86163P_晶体管-FET,MOSFET-单个
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MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN

晶体管-FET,MOSFET-单个

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¥9.101499

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.9A(Ta),50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 7.9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 59 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4085 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),104W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FDMS86163P_未分类
FDMS86163P
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FDMS86163P LEIDITECH/上海雷卯电子

未分类

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¥11.013036

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¥5.797261

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¥3.458775

+10000:

¥3.298674

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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FDMS86163P
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MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN

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¥10.417427

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.9A(Ta),50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 7.9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 59 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4085 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),104W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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¥9.091987

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¥8.862777

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库存: 1000 +

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包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

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FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.9A(Ta),50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 7.9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 59 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4085 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),104W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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¥12.710723

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¥12.50235

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¥12.293978

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¥12.085605

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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系列: PowerTrench®

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FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.9A(Ta),50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 7.9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 59 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4085 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),104W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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¥9.339951

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¥9.182977

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¥8.947515

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¥8.869029

库存: 1000 +

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系列: PowerTrench®

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FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.9A(Ta),50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 7.9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 59 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4085 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),104W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDMS86163P_晶体管-FET,MOSFET-单个
FDMS86163P
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¥9.156814

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.9A(Ta),50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 7.9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 59 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4085 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),104W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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+3000:

¥7.716215

+6000:

¥7.426113

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.9A(Ta),50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 7.9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 59 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4085 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),104W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDMS86163P参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.9A(Ta),50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 7.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 59 nC 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4085 pF 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),104W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)
封装/外壳: 8-PowerTDFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)