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FDB5800_晶体管-FET,MOSFET-单个
FDB5800
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¥30.093702

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¥27.329102

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A(Ta),80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6 毫欧 80A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 135 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6625 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 242W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
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FDB5800_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A(Ta),80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6 毫欧 80A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 135 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6625 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 242W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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FDB5800_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥18.78584

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¥17.688836

+5600:

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A(Ta),80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6 毫欧 80A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 135 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6625 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 242W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

FDB5800_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥36.276893

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¥30.512345

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¥24.681953

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D²PAK

FDB5800_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥36.276893

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¥30.512345

+100:

¥24.681953

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D²PAK

Mouser
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FDB5800_晶体管
FDB5800
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: SC-70-3

系列: FDB5800

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 80 A

Rds On-漏源导通电阻: 5.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 135 nC

Pd-功率耗散: 242 W

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 12.1 ns

高度: 4.83 mm

长度: 10.67 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 22 ns

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 27.1 ns

典型接通延迟时间: 20.3 ns

宽度: 9.65 mm

单位重量: 4 g

温度: - 55 C~+ 175 C

艾睿
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FDB5800_未分类
FDB5800
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

未分类

+800:

¥18.112042

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDB5800参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A(Ta),80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6 毫欧 80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 135 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6625 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 242W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D²PAK(TO-263)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 175°C(TJ)