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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCPF1300N80Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 4A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.838201 +10：￥14.55872 +50：￥12.132307	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3 欧姆 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 400µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 24W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	FCPF1300N80Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 4A TO220F 下载数据手册	+1：￥10.654088 +10：￥9.080561 +50：￥8.217307	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3 欧姆 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 400µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 24W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FCPF1300N80Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 4A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥26.28509 +100：￥20.964214 +500：￥17.239651 +1000：￥12.663737	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3 欧姆 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 400µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 24W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
FCPF1300N80Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 4A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+300：￥9.870652 +500：￥9.825127 +1000：￥9.779602 +5000：￥9.643151	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3 欧姆 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 400µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 24W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
FCPF1300N80Z ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 4A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.295005	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3 欧姆 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 400µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 24W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	FCPF1300N80Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 4A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.842238 +10：￥13.336346 +100：￥10.721079 +500：￥8.808381 +1000：￥7.298319	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3 欧姆 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 400µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 24W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	FCPF1300N80Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 4A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥36.308045 +10：￥32.624237 +100：￥26.226599 +500：￥21.547633 +1000：￥17.853622	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3 欧姆 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 400µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 24W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCPF1300N80Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 4A TO220F 下载数据手册未分类	+1：￥45.292558 +10：￥37.59807 +100：￥29.903581 +250：￥28.329707 +500：￥25.007087	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 50

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCPF1300N80Z 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+1000：￥14.680935	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FCPF1300N80Z参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	SuperFET® II
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.3 欧姆 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 400µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	21 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	880 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	24W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220F-3
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FCPF1300N80Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 4A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥26.28509 +100：￥20.964214 +500：￥17.239651 +1000：￥12.663737	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3 欧姆 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 400µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 24W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
FCPF1300N80Z ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 4A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+300：￥9.870652 +500：￥9.825127 +1000：￥9.779602 +5000：￥9.643151	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3 欧姆 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 400µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 24W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
FCPF1300N80Z ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 4A TO220F 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.295005	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® II 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3 欧姆 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 400µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 24W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220F-3 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）