品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 1.4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.1W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223-4

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 1.4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.1W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223-4

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 1.4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.1W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223-4

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-223-4

系列： FQT13N06L

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 60 V

Id-连续漏极电流： 2.8 A

Rds On-漏源导通电阻： 110 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1 V

Qg-栅极电荷： 6.4 nC

Pd-功率耗散： 2.1 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 40 ns

正向跨导 - 最小值： 4.1 S

高度： 1.8 mm

长度： 6.5 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 90 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

类型： MOSFET

典型关闭延迟时间： 20 ns

典型接通延迟时间： 8 ns

宽度： 3.5 mm

单位重量： 112 mg

温度： - 55 C~+ 150 C