FQA10N80C厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 FQA10N80C 共 7 条相关记录

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQA10N80C ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 10A TO3P 下载数据手册未分类	+289：￥9.081495 +1443：￥8.903367	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 欧姆 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 58 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 240W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQA10N80C ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 10A TO3P 下载数据手册未分类	+289：￥10.037525 +1443：￥9.840781	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 欧姆 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 58 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 240W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQA10N80C JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FQA10N80C JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥6.492578 +150：￥6.260701 +3650：￥6.086792	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQA10N80C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 10A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+217：￥7.65693	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 欧姆 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 58 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 240W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQA10N80C Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 10A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+217：￥18.73088	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： QFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-3P-3, SC-65-3 供应商器件封装： TO-3P
	FQA10N80C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 10A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 欧姆 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 58 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 240W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQA10N80C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 10A TO3P 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 30

FQA10N80C参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.1 欧姆 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	58 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2800 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	240W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-3P
封装/外壳:	TO-3P-3，SC-65-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FQA10N80C ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 10A TO3P 下载数据手册未分类	+289：￥9.081495 +1443：￥8.903367	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 欧姆 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 58 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 240W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQA10N80C ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 10A TO3P 下载数据手册未分类	+289：￥10.037525 +1443：￥9.840781	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 欧姆 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 58 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 240W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FQA10N80C JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FQA10N80C JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥6.492578 +150：￥6.260701 +3650：￥6.086792	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数