品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 290 毫欧 4.7A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），50W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TO-252AA

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 290 毫欧 4.7A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），50W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TO-252AA

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 290 毫欧 4.7A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），50W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TO-252AA

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 290 毫欧 4.7A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），50W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TO-252AA

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 290 毫欧 4.7A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 800 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），50W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TO-252AA

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： DPAK-3

系列：

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： P-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 100 V

Id-连续漏极电流： 9.4 A

Rds On-漏源导通电阻： 290 mOhms

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

高度： 2.39 mm

长度： 6.73 mm

产品类型： MOSFET

晶体管类型： 1 P-Channel

宽度： 6.22 mm

零件号别名： FQD12P10TM_F085

单位重量： 330 mg

温度： ~