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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD8796 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.06048 +10：￥6.04032 +30：￥5.0336	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.7 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2610 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 88W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD8796 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA 下载数据手册未分类	+1：￥6.490798 +10：￥5.461513 +30：￥4.946871 +100：￥4.432228 +500：￥4.127644	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.7 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2610 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 88W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD8796 ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA 下载数据手册未分类	+1169：￥2.367633 +5842：￥2.32071	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.7 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2610 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 88W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDD8796 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD8796 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.865774 +50：￥1.833522 +500：￥1.769228 +5000：￥1.720955 +30000：￥1.608389	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD8796 授权代理品牌	FDD8796 BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥1.735859 +500：￥1.602385 +2000：￥1.46891 +6000：￥1.335321	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD8796 授权代理品牌	FDD8796 UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥0.93212 +1000：￥0.893919 +1500：￥0.856527	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD8796 UMW(友台半导体) 授权代理品牌	FDD8796 UMW/友台半导体下载数据手册未分类	+2500：￥1.029476 +5000：￥0.997873 +7500：￥0.977962	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD8796 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.7 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2610 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 88W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDD8796 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.7 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2610 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 88W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	FDD8796 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.876638 +10：￥11.295051 +100：￥8.660939	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252AA

FDD8796参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5.7 毫欧 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	52 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2610 pF 13 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	88W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDD8796 ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA 下载数据手册未分类	+1169：￥2.367633 +5842：￥2.32071	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.7 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2610 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 88W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDD8796 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDD8796 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.865774 +50：￥1.833522 +500：￥1.769228 +5000：￥1.720955 +30000：￥1.608389	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD8796 授权代理品牌	FDD8796 BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥1.735859 +500：￥1.602385 +2000：￥1.46891 +6000：￥1.335321	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD8796 授权代理品牌	FDD8796 UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥0.93212 +1000：￥0.893919 +1500：￥0.856527	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDD8796 UMW(友台半导体) 授权代理品牌	FDD8796 UMW/友台半导体下载数据手册未分类	+2500：￥1.029476 +5000：￥0.997873 +7500：￥0.977962	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数